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              EV、HEV用IGBT模塊

              采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

              產品信息

              • 產品信息

              EV、HEV用IGBT模塊 650V級

              ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

              VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

              Package Device type VCES
              Volt
              IC(Cont)
              Amps.
              IC(Peak)
              Amps.
              VCE(sat)
              Typ. Volts
              VF
              Typ. Volts
              Net mass Grams

              M651
              6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

              M652
              6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

              :新產品

              :更新

              :開發中

               


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